Modeling the effect of deep traps on the capacitance-voltage characteristics of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes grown on high index GaAs substrates
Nouredine Sengouga*, Rami Boumaraf, Riaz H. Mari, Afak Meftah, Dler Jameel, Noor Al Saqri, Mohsin Azziz, David Taylor, Mohamed Henini
*المؤلف المقابل لهذا العمل
نتاج البحث: المساهمة في مجلة › Article › مراجعة النظراء
9
اقتباسات
(Scopus)