Modeling the effect of deep traps on the capacitance-voltage characteristics of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes grown on high index GaAs substrates

Nouredine Sengouga^*, Rami Boumaraf, Riaz H. Mari, Afak Meftah, Dler Jameel, Noor Al Saqri, Mohsin Azziz, David Taylor, Mohamed Henini

^*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: المساهمة في مجلة › Article › مراجعة النظراء