Electric field effects in low resistance CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy

H. Meng*, R. Sbiaa, M. A.K. Akhtar, R. S. Liu, V. B. Naik, C. C. Wang

*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: المساهمة في مجلةمراجعة النظراء

43 اقتباسات (Scopus)

ملخص

We have investigated the electric field effects in low resistance perpendicular magnetic tunnel junction (MTJ) devices and found that the electric field can effectively reduce the coercivity (H c) of free layer (FL) by 30 for a bias voltage V b -0.2 V. In addition, the bias field (H b) on free layer is almost linearly dependent on V b yet independent on the device size. The demonstrated V b dependences of H c and H b in low resistance MTJ devices present the potential to extend the scalability of the electric field assisted spin transfer torque magnetic random access memory and improve its access speed.

اللغة الأصليةEnglish
رقم المقال122405
دوريةApplied Physics Letters
مستوى الصوت100
رقم الإصدار12
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرPublished - مارس 19 2012
منشور خارجيًانعم

ASJC Scopus subject areas

  • ???subjectarea.asjc.3100.3101???

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “Electric field effects in low resistance CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا