Electric field effects in low resistance CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy

H. Meng*, R. Sbiaa, M. A.K. Akhtar, R. S. Liu, V. B. Naik, C. C. Wang

*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: المساهمة في مجلةمراجعة النظراء

44 اقتباسات (Scopus)

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “Electric field effects in low resistance CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

Physics

Material Science