Impedance Analysis of GaAs/AI(Ga) As Resonant Tunnel Diodes in the NDR Region

A. Zarea, A. Sellai, M. S. Raven, D. P. Steenson, J. M. Chamberlain, M. Henini, O. H. Hughes

نتاج البحث: المساهمة في مجلةمراجعة النظراء

9 اقتباسات (Scopus)

ملخص

The small signal impedance of GaAs/Al(Ga)As doublebarrier resonant tunnel diodes has been measured and analysed over a wide range of frequencies and for various DC bias values. A method is introduced to evaluate the equivalent circuit parameters, the cut-off frequency and the self-resonant frequency. This also yields intrinsic values of R, Rs, C and L associated with the device structure.

اللغة الأصليةEnglish
الصفحات (من إلى)1522-1523
عدد الصفحات2
دوريةElectronics Letters
مستوى الصوت26
رقم الإصدار18
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرPublished - يناير 1990

ASJC Scopus subject areas

  • ???subjectarea.asjc.2200.2208???

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “Impedance Analysis of GaAs/AI(Ga) As Resonant Tunnel Diodes in the NDR Region'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا