Gaussian distribution of inhomogeneous barrier height in tungsten/4H-SiC (000-1) Schottky diodes

S. Toumi, A. Ferhat-Hamida, L. Boussouar, A. Sellai, Z. Ouennoughi*, H. Ryssel

*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: المساهمة في مجلةArticleمراجعة النظراء

47 اقتباسات (Scopus)

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “Gaussian distribution of inhomogeneous barrier height in tungsten/4H-SiC (000-1) Schottky diodes'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

Physics

Material Science