Deep-level transient spectroscopy study of the E center in n-Si and partially relaxed n- Si0.9 Ge0.1 alloy layers

M. Mamor*, M. Elzain, K. Bouziane, S. H. Al Harthi

*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: المساهمة في مجلةArticleمراجعة النظراء

6 اقتباسات (Scopus)

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “Deep-level transient spectroscopy study of the E center in n-Si and partially relaxed n- Si0.9 Ge0.1 alloy layers'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

Material Science

Physics