Small signal analysis of resonant tunnel diodes in the bistable mode

A. Zarea*, A. Sellai, M. S. Raven, D. P. Steenson, J. M. Chamberlain, M. Henini, O. H. Hughes

*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: Conference contribution

5 اقتباسات (Scopus)

ملخص

The small signal impedance of GaAs/Al(Ga)As double-barrier resonant tunnel diodes has been measured and analyzed over a wide range of frequencies and for various d.c. bias values. The RTD equivalent circuit elements were obtained by measuring the impedance in the bistable region. The cut-off frequency and the self-resonant frequency were calculated and compared with direct measurements.

اللغة الأصليةEnglish
عنوان منشور المضيفESSDERC 1990 - 20th European Solid State Device Research Conference
المحررونW. Eccleston, P. J. Rosser
ناشرIEEE Computer Society
الصفحات559-562
عدد الصفحات4
رقم المعيار الدولي للكتب (الإلكتروني)0750300655
حالة النشرPublished - 1990
منشور خارجيًانعم
الحدث20th European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 1990 - Nottingham, United Kingdom
المدة: سبتمبر ١٠ ١٩٩٠سبتمبر ١٣ ١٩٩٠

سلسلة المنشورات

الاسمEuropean Solid-State Device Research Conference
رقم المعيار الدولي للدوريات (المطبوع)1930-8876

Other

Other20th European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 1990
الدولة/الإقليمUnited Kingdom
المدينةNottingham
المدة٩/١٠/٩٠٩/١٣/٩٠

ASJC Scopus subject areas

  • ???subjectarea.asjc.2200.2208???
  • ???subjectarea.asjc.2200.2213???

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “Small signal analysis of resonant tunnel diodes in the bistable mode'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا