Multi-bit per cell magnetic random access memory based on spin torque oscillator

Rachid Sbiaa*

*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: Conference contribution

ملخص

Magnetization dynamics of a soft magnetic layer with perpendicular anisotropy under spin transfer torque from two adjacent layers is investigated. One of these two spin polarized layers has its magnetization fixed while the second one has its magnetization oscillating at a frequency f. It is observed that the soft layer magnetization could switch only for a range of frequency around an optimal value fo. The value of fo is strongly dependent on the intrinsic properties of the soft layer and the applied electric current. This scheme could solve the problem of overwritability in multi-bit per cell magnetic random access memory and bring momentum to research in magnetic memory for high storage capacity.

اللغة الأصليةEnglish
عنوان منشور المضيف3rd Electronic and Green Materials International Conference 2017, EGM 2017
المحررونMohd Fathullah Ghazli, Rizalafande Che Ismail, Mohd. Mustafa Albakri Abdullah, Muhammad Mahyiddin Ramli, Shayfull Zamree Abd Rahim, Siti Salwa Mat Isa, Mohd Nasir Mat Saad
ناشرAmerican Institute of Physics Inc.
رقم المعيار الدولي للكتب (الإلكتروني)9780735415652
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرPublished - سبتمبر 26 2017
الحدث3rd Electronic and Green Materials International Conference 2017, EGM 2017 - Aonang Krabi, Thailand
المدة: أبريل ٢٩ ٢٠١٧أبريل ٣٠ ٢٠١٧

سلسلة المنشورات

الاسمAIP Conference Proceedings
مستوى الصوت1885
رقم المعيار الدولي للدوريات (المطبوع)0094-243X
رقم المعيار الدولي للدوريات (الإلكتروني)1551-7616

Other

Other3rd Electronic and Green Materials International Conference 2017, EGM 2017
الدولة/الإقليمThailand
المدينةAonang Krabi
المدة٤/٢٩/١٧٤/٣٠/١٧

ASJC Scopus subject areas

  • ???subjectarea.asjc.3100.3100???

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “Multi-bit per cell magnetic random access memory based on spin torque oscillator'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا