MRAM device incorporating single-layer switching via rashba-induced spin torque

Jie Guo*, Seng Ghee Tan, Mansoor Bin Abdul Jalil, Kwaku Eason, Sunny Yan Hwee Lua, Sbiaa Rachid, Hao Meng

*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: المساهمة في مجلةArticleمراجعة النظراء

4 اقتباسات (Scopus)

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “MRAM device incorporating single-layer switching via rashba-induced spin torque'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

Physics

Material Science