تخطي إلى التنقل الرئيسي
تخطي إلى البحث
تخطي إلى المحتوى الرئيسي
الصفحة الرئيسية
English
العربية
الصفحة الرئيسية
الملفات الشخصية
الوحدات البحثية
نتاج البحث
المشاريع
مجموعات البيانات
أنشطة
الصحافة / وسائل الإعلام
الجوائز
التأثيرات
الدورات التدريبية
البحث حسب الخبرة أو الاسم أو الانتماء
I-V-T measurements on GaAs/AlGaAs heterojunctions interpreted on the basis of thermally assisted tunneling
A. Sellai
*
, M. S. Raven, M. Henini
*
المؤلف المقابل لهذا العمل
Physics
نتاج البحث
:
المساهمة في مجلة
›
Article
›
مراجعة النظراء
3
اقتباسات (Scopus)
معاينة
بصمة
بصمة
أدرس بدقة موضوعات البحث “I-V-T measurements on GaAs/AlGaAs heterojunctions interpreted on the basis of thermally assisted tunneling'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.
فرز حسب
الوزن
أبجديًا
Material Science
Gallium Arsenide
66%
Aluminium Gallium Arsenide
66%
Physics
Heterojunctions
100%