I-V-T measurements on GaAs/AlGaAs heterojunctions interpreted on the basis of thermally assisted tunneling

A. Sellai*, M. S. Raven, M. Henini

*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: المساهمة في مجلةArticleمراجعة النظراء

3 اقتباسات (Scopus)

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “I-V-T measurements on GaAs/AlGaAs heterojunctions interpreted on the basis of thermally assisted tunneling'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

Material Science

Physics