High Radiative Recombination Rate of AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes with AlInGaN/AlInN/AlInGaN Tunnel Electron Blocking Layer
Tariq Jamil, Muhammad Usman*, Habibullah Jamal, Sibghatullah Khan, Saad Rasheed, Shazma Ali
*المؤلف المقابل لهذا العمل
نتاج البحث: المساهمة في مجلة › مراجعة النظراء
3
اقتباسات
(Scopus)