High Radiative Recombination Rate of AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes with AlInGaN/AlInN/AlInGaN Tunnel Electron Blocking Layer

Tariq Jamil, Muhammad Usman*, Habibullah Jamal, Sibghatullah Khan, Saad Rasheed, Shazma Ali

*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: المساهمة في مجلةمراجعة النظراء

3 اقتباسات (Scopus)

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “High Radiative Recombination Rate of AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes with AlInGaN/AlInN/AlInGaN Tunnel Electron Blocking Layer'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

Physics

Material Science