High Radiative Recombination Rate of AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes with AlInGaN/AlInN/AlInGaN Tunnel Electron Blocking Layer

Tariq Jamil, Muhammad Usman^*, Habibullah Jamal, Sibghatullah Khan, Saad Rasheed, Shazma Ali

^*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: المساهمة في مجلة › Article › مراجعة النظراء