Electrical transport study on Pd/n-SiGe/Si Schottky diodes

A. Sellai*, M. Mamor, F. S. Gard, K. Bouziane, S. Al-Harthi, M. Al-Busaidi

*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: Conference contribution

ملخص

It is shown in the present study that the strong temperature dependence of Pd/n-SiGe/Si Schottky diode parameters, obtained experimentally, could not be fully explained by considering the combined effects of tunneling, recombination, image-force lowering and series resistance. A satisfactory explanation, however, could be achieved within the framework of a modified thermionic emission theory with the assumption that the barrier potential at the Pd/SiGe interface is not flat but fluctuates around a mean value of 0.8 eV with a standard deviation of 84 meV. This mean barrier height is very close to the one derived from C-V data.

اللغة الأصليةEnglish
عنوان منشور المضيفSOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY
العنوان الفرعي لمنشور المضيف2nd International Conference on Solid State Science and Technology 2006, ICSSST 2006
الصفحات112-117
عدد الصفحات6
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرPublished - 2007
الحدثSOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY: 2nd International Conference on Solid State Science and Technology 2006, ICSSST 2006 - Kuala Terengganu, Malaysia
المدة: سبتمبر ٤ ٢٠٠٦سبتمبر ٦ ٢٠٠٦

سلسلة المنشورات

الاسمAIP Conference Proceedings
مستوى الصوت909
رقم المعيار الدولي للدوريات (المطبوع)0094-243X
رقم المعيار الدولي للدوريات (الإلكتروني)1551-7616

Other

OtherSOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY: 2nd International Conference on Solid State Science and Technology 2006, ICSSST 2006
الدولة/الإقليمMalaysia
المدينةKuala Terengganu
المدة٩/٤/٠٦٩/٦/٠٦

ASJC Scopus subject areas

  • ???subjectarea.asjc.1100.1105???
  • ???subjectarea.asjc.2300.2303???
  • ???subjectarea.asjc.1100.1110???
  • ???subjectarea.asjc.3100.3100???
  • ???subjectarea.asjc.2300.2309???

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “Electrical transport study on Pd/n-SiGe/Si Schottky diodes'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا