Electrical characteristics of Mo/4H-SiC Schottky diodes having ion-implanted guard rings: Temperature and implant-dose dependence

A. Latreche, Z. Ouennoughi*, A. Sellai, R. Weiss, H. Ryssel

*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: المساهمة في مجلةArticleمراجعة النظراء

25 اقتباسات (Scopus)

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “Electrical characteristics of Mo/4H-SiC Schottky diodes having ion-implanted guard rings: Temperature and implant-dose dependence'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

Physics

Material Science