Electrical characteristics of Mo/4H-SiC Schottky diodes having ion-implanted guard rings: Temperature and implant-dose dependence
A. Latreche, Z. Ouennoughi*, A. Sellai, R. Weiss, H. Ryssel
*المؤلف المقابل لهذا العمل
نتاج البحث: المساهمة في مجلة › Article › مراجعة النظراء
25
اقتباسات
(Scopus)