Electrical Behavior of MBE Grown Interfacial Misfit GaSb/GaAs Heterostructures with and Without Te-Doped Interfaces

Mohsin Aziz, Jorlandio Francisco Felix, Noor Al Saqri, Dler Jameel, Faisal Saleh Al Mashary, Hind Mohammed Albalawi, Haifaa Mohammed Abdullah Alghamdi, David Taylor, Mohamed Henini

نتاج البحث: المساهمة في مجلةArticleمراجعة النظراء

5 اقتباسات (Scopus)

ملخص

A detailed study of interface states in interfacial misfit (IMF) grown GaSb on GaAs substrates is presented. Two types of structures, namely, uncompensated and Te compensated, are investigated using current-voltage, capacitance-frequency, conductance-frequency, and deep level transient spectroscopy techniques. Our studies reveal that incorporation of Te at the interface (IMF) causes a degradation of the Te-compensated devices. A higher number of electrical active defects and higher value of interface states are detected in Te-compensated IMF GaSb/GaAs devices compared with as-grown IMF GaSb/GaAs devices.

اللغة الأصليةEnglish
رقم المقال7312966
الصفحات (من إلى)3980-3986
عدد الصفحات7
دوريةIEEE Transactions on Electron Devices
مستوى الصوت62
رقم الإصدار12
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرPublished - ديسمبر 2015
منشور خارجيًانعم

ASJC Scopus subject areas

  • ???subjectarea.asjc.2500.2504???
  • ???subjectarea.asjc.2200.2208???

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “Electrical Behavior of MBE Grown Interfacial Misfit GaSb/GaAs Heterostructures with and Without Te-Doped Interfaces'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا