Differentiation between C and Si related damage centres in 4H and 6H SiC by the use of 90-300 kV electron irradiation followed by low temperature photoluminescence microscopy

J. W. Steeds^*, F. Carosella, G. A. Evans, M. M. Ismail, L. R. Danks, W. Voegeli

^*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: المساهمة في مجلة › Conference article › مراجعة النظراء